钽电容的今天

钽电容的今天

现在市场的重要需求是：各壳豪侠的最大CV值和最小当量电阻AER值。手机，笔记本电脑和重伤通信装置越来越精致小巧。对能量的要求是传输要快，损耗要少，就不断的推动CV值增大和ESR值减小。整流电源中的钽电容及时这样，这需要高的时标速率，因为能量传送正比于频率，二在高频下使用则要求其ESR低。

钽电容就小型化而言，现在开发的是三种壳： V X和W分别相当：高度为2mm的矮扁D壳，高度为1.5mm的矮扁D壳和高度为1.5mm的矮扁C壳。根据市场情况可能还没有达到其极限，镶入维1.0mm的C壳和D壳的钽电容也是有可能的。

钽电容钽粉的比容其实是越来越高，而某壳好下的合理电容量多少合适，制造技术有能否保证？对于比容为80K uFV/g 的钽粉，最现实的壳号是A和B，A壳号时33uf/4V，  B壳号时/400uf/4V。若用标准工艺制造，则因烧结块内部的孔隙过于细微，是深处的介电膜难于‘“覆盖”上M_no₂₍虽然增加浸渍时间和分解次数也难以覆盖)除非采用下将讨论的新技术，否则无法解决，要不回到用低比容钽粉，要不增大烧结块，但是这都会曾大钽电容壳号。用70KuFV/g钽粉制造C壳号220uf/6.3V的钽电容是可能的.用于大壳号的阳极块，其压结密度越来越难于均匀，知道D,V和E壳号的钽电容是高比钽粉只有用于水平压力机也压结才行。过几年一定能用50kuFV/g钽粉大量生产V壳330uf/6.3V，D壳470uf/6.3V和E壳100uf/6.3V钽电容。

这种最大CV值的钽电容将很快大量生产，壳号越小，使用高比容钽粉越容易。

上文介绍了用传统工艺制造钽电容时改善ESR的方法，但是要增加工艺和改善设备先介绍两种较易实现的新方法。

方法是用导电聚合物代替M_UO₂作阴极，因导电聚合物的导电率比M_UO₂高差不多两个数量级。所以等效电阻可大幅降低，这一新工艺不仅要用全新的沉积工艺，还要与接触层匹配及组装的专门技术。土司是ESR的频率特性，由图可见聚合物钽电容的ESR值比M_UO₂的低很多并在100kHz附近最低，仅400m欧姆，为常规电容器1400m欧姆的3/1.

本方法主要用在小钽电容（比如A和B壳号）和扁矮型

方法二是用若干并联阳极平行的多阳极钽电容器，就是V壳测得E壳470uf/6.3V多阳极钽电容的ESR频率特性，仅14M欧姆而常规电容为35m欧姆这种方法很好，甚至可能在E壳中容纳更多的扁样极快，或者可以制作成特宽形的钽电容，机油大电容又有低ESR必将受到欢迎。
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