AVX钽电容的耗散因数和损耗角正切介绍

AVX钽电容的耗散因数和损耗角正切介绍

  在电路板设计之前，钽电容选型阶段经常会计算AVX钽电容的耗散因数和损耗角正切，很多客户都不理解这两者之间的关系，今天我们来做重点介绍一下，

  损耗角正切（TAN）  这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。 COS（90 - ）是真正的功率因数。 “使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波的2.2Vdc的偏见。

耗散因数（D.F.）。  耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc。 DF值是温度和频率依赖性。注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。   耗散因数的频率依赖性  随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的：   耗散与温度的关系  耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap相同®电容器。对于最高限额，请参阅的评分表。   

 AVX钽电容的阻抗(Z)。  这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z。 阻抗是在25° C和100kHz。

   AVX钽电容的等效串联电阻ESR。  阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR。 ESR的频率依赖性和可利用的关系;ESR=谭δ2πfC其中F是赫兹的频率，C是电容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的测量。ESR是阻抗的因素之一，在高频率（100kHz和以上）就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。   AVX钽电容的阻抗和ESR的频率依赖性。  ESR和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗（由于电容器的电抗）变得更加重要。除了1MHz的（和超越电容的谐振点）阻抗再次增加由于电感，电容的。典型ESR和阻抗值是类似的钽，铌氧化物材料，从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap®电容。

本文章由AVX钽电容代理商：斯珀瑞特电子收集

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